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由 图可见,升压变换器的拓扑基本结构未被破坏。本应用中,MAX668把3.3V电压变为5V,负载电流可达3A。贴片保险丝VICFUSE贴片保险丝VICFUSE其中P沟道增强型MOSFET——Q1是实现负载断路的关键元件。当MAX668在关闭模式时,二极管D1仍然导通,使得MAX810L的电源端的电压为3.3V减去二极管D1的管压降。由于MAX810L的复位门槛电平为4.65V,因此其RESET端输出为 高电平,迫使Q1关断,从而使负载与输入电源断开。MAX668通过外部反馈电阻网络设定5V输出电压。当输出电压超MAX810L的复位门槛电平时,其内部单稳电路开始工作并延时约240ms。之后,MAX810L的输出变低,使Q1导通。Q1导通之后,MAX810L一直监测输出电压以确定输出是否过流。过载将会导致输出电压下降,当它低于MAX810L门槛电平时,MAX810L的输出经过20μs的延迟后由高变低 ,从而关断Q1并使负载断开。由于MAX668的升压作用,MAX810电源端电压又会高于其门槛电平,240ms的复位延迟时间后,MAX810L输出再次由高变低,开通Q1并自动再次连通负载。上述过程会一直周期性重复下去,除非移去多余负载或将MAX668关闭使其停止工作。因此MAX810L和开关Q1一起构成了一个固态开关(电子保险丝)。保险丝保险丝MAX810L(微功耗器件)具有非平衡推挽输出级。当对外 输出电流时,它等效于一个6kΩ电阻;当从外汲取电流时,它等效于一个125Ω的电阻。当导通或关断Q1时,由于MAX810L的电阻阻止了Q1的密勒电容和栅源电容快速充放电,因此使开关瞬态过程得以减慢。假定Q1总的等效电容为5000pF时,则MAX810汲取电流时(等效于125Ω电阻)大电流三极管的RC电路的时间常数约为0.6μs。整个导通过程电压瞬态响应时间大约为10RC=6μs。完全关断同样开关Q1 的时间大约是完全导通时间的48倍。当外部负载或C2在启动瞬间要汲取较大电流时,快速导通Q1可能使MAX810输入电压低于其复位门槛电压从而导致复位出现,因此在图2基础上再增加一RC网络以减缓其开通过程,合适地选择R、C可使负载连接过程延续到几个MAX668开关工作周期,使MAX668的输出电压一直高于MAX810的复位门槛电压。假如R、C使Q1的导通时间延长,同时也延长了关断时间。因此需要在电阻上 并联一肖特基二极管,以加速当负载过载时关闭Q1的进程。为了获得增强型通道及较低的导通电阻,上述电路均需要采用逻辑电平控制的P沟道MOSFET,如果Q1的导通电阻值较大且在其两端产生较大的压降(特别是低输出电压应用场合或负载离电源的距离较远时),则应该从Q1漏极端反馈电压调节输出。设计电路时,必须小化寄生参数同时仔细考虑电路布局。利用一个SOT23封装的低电压模拟开关(MAX4544)可实现上述远 端调节,该开关受控于MAX810L的输出,如图4所示。根据MAX4544产品参数,其低工作电压为2.7V。由于输入电压为3.3V,而肖特基的正向管压降为0.3V,因此即使该升压变换处于关闭模式,MAX4544(及MAX810)也处于工作状态。此时,MAX810输出高电平,MAX4544的公共端COM与其常开端NO(Q1的源极)相连。当MAX668使能时,与MAX4544公共端相连的电阻网络为MA
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